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國立中山大學晶體研究中心宣布,已率先成功生長出直徑6吋的碳化矽(SiC)晶體塊材,今年7月起更技轉台灣應用晶體公司及其所屬集團,簽訂5年5千萬技術移轉案,助攻台灣半導體材料發展。
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