國立中山大學晶體研究中心宣布，已率先成功生長出直徑6吋的碳化矽（SiC）晶體塊材，今年7月起更技轉台灣應用晶體公司及其所屬集團，簽訂5年5千萬技術移轉案，助攻台灣半導體材料發展。