半導體新興材料推陳出新，其中氧化鎵（Ga₂O₃）應用領域廣泛，國立中山大學晶體研究中心與台灣應用晶體股份有限公司及其所屬集團簽訂「大尺寸氧化鎵晶體生長」專案合作契約書，企業挹注5千萬投入氧化鎵單晶塊材（Bulk Crystal）研究，目標3年內成功生產6吋氧化鎵單晶塊材，助攻臺灣次世代半導體材料領航優勢，前景可期。