晶片荒已蔓延全球數年，長晶速度與穩定品質成為決勝關鍵！國立中山大學晶體研究中心是台灣唯一能生長次世代半導體碳化矽（SiC）的實驗室，已率先成功生長出直徑6吋的碳化矽晶體塊材。中山大學材料與光電科學學系教授兼晶體研究中心主任周明奇指出，研發過程結合中鋼、中鋼碳素等國內企業專業，除在石墨隔熱材料、坩堝及晶體生長設備等領域助攻MIT產業升級，今年7月起更技轉台灣應用晶體公司及其所屬集團，簽訂5年5千萬技術移轉案，助攻台灣半導體材料領航優勢。