超臨界流體技術助力突破半導體製程良率瓶頸（EE Times, Taiwan）

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超臨界流體低溫缺陷鈍化技術由奈盾科技(Naidun-tech)開發，為科技部推動「科研創業計畫」的研究之一，團隊主要由中山大學講座教授張鼎張組成，耗時近15年，搭上新半導體技術的發展趨勢，近年開始有成果。

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