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6吋晶體生長關鍵突破! 中山大學助攻MIT產業升級

發佈日期: 2023-03-06
第三代半導體材料「碳化矽」(SiC)晶體已被視為重要戰略物資,是發展電動車、6G通訊、國防、航太、綠能的關鍵要素。國立中山大學晶體研究中心創全國學研單位之先,成功生長6吋導電型(n-type)4H碳化矽單晶,在長晶爐設備、坩堝(存放材料容器)、熱場設計、長晶技術、品質檢驗等環節100%MIT,奠定晶體生長速度快、穩定性高、成本低等優勢,將透過技轉助攻台灣產業升級,強化全球市場競爭力。

碳化矽在高電壓和高功率的表現優異,且散熱性佳,但製作困難,晶體生長的技術門檻高,需大量時間及經驗,台灣目前投入生產的企業發表的生長速度約在150-200um/hr之間,晶體穩定性與良率仍有待提升。中山大學材料與光電科學學系教授兼國際長周明奇指出,晶體研究中心已成功長出六吋導電型N-type 4H碳化矽SiC單晶,中心厚度為19mm,邊緣約為14mm,生長速度達到370um/hr,「晶體生長速度更快且具重複性」,國內尚無其他研究單位或大學能做得到,標示著第三類半導體碳化矽向前推進的進程。

周明奇表示,包括生長晶體的長晶爐、存放材料的容器坩堝、熱場設計、生長參數及晶體缺陷檢驗等,所有關鍵技術與設備設計、組裝全部MIT,不倚賴國外廠商,上下游一條龍自主培養合作廠商生態鏈,從學術研發鏈結到產業製造,更能撙節研發生產成本。

去年研究團隊導入6吋導電型(n-type)4H碳化矽長晶爐,已成功生長出6吋單晶。周明奇強調,為了從實驗室邁向工業化,團隊不斷調整生長參數、檢驗晶體品質,今年2月,確認生長的6吋導電型4H碳化矽SiC單晶生長速度更快、穩定性佳且具重複性,確保未來技轉廠商的市場競爭力與獲利優勢。

「台灣半導體產業獨步全球,居全球之冠,但在推進高功率元件、電動車及低軌衛星等先進應用的過程,卻缺乏成熟的第三代半導體材料碳化矽的晶體生長技術,發展受到限制。」周明奇說,中山大學團隊已取得碳化矽晶體生長關鍵突破,將進一步透過技轉,為台廠補足半導體產業鏈最尖端的戰略know-how,第一階段將會技轉至長期產學合作的企業,善用研發成果助攻產業升級。

目前4 吋、6 吋矽晶圓為市場主流尺寸,並逐漸朝向8吋轉進。展望未來,周明奇指出,團隊已投入8吋導電型(n-type)4H碳化矽生長設備研發設計,今年將持續推進碳化矽晶體生長核心技術,也正打造高真空環境,研發生長半絕緣碳化矽(Semi-insulating Silicon Carbide; SI.-SiC),持續為我國取得材料、製程、設備三大關鍵環節的自主能力。他強調,每個材料的獨特性質需經多年驗證,新材料欲取代或現有材料要退場,須考量多重因素,例如材料的工作環境及穩定性等。「日前媒體提到Tesla將刪減碳化矽晶片的用量,原文是說耐高溫的部分仍用碳化矽,而低溫的部分用矽,兩者分開封裝。碳化矽仍是必要材料,因此電動車的須求與充電樁仍是非常巨大。」

自2004年以來,中山大學晶體研究中心積極研發晶體生長設備及相關技術,持續攜手醫療、半導體、光學、雷射等產業,累積十多年高溫晶體研發經驗,並獲得國科會及教育部高教深耕計畫的經費挹注,不斷創新突破生長碳化矽晶體的核心技術,透過攝氏2300度以上的超高溫生長出碳化矽晶體,是目前國內學研單位中唯一具備生長大尺寸吋SiC晶體的研究中心。此外,晶體中心也在立陶宛與拉脫維亞成立兩個海外研究中心,利用晶體中心所生長的雷射晶體,與立陶宛研究單位及企業共同開發高功率薄片雷射(Thin Disc Laser, TDL)系統,目前也有優異成果。
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