中山大學物理系大學部應屆畢業生曾懿霆與林志陽，二人專題研究各以第一作者登上國際期刊，指導教授張鼎張表示十分難得，今年畢業的他們將繼續留在中山物理系直攻博士班，未來更將前往美國史丹佛大學交換研究。

曾懿霆以「Complementary Resistive Switching Behavior Induced by Varying Forming Current Compliance in Resistance Random Access Memory」登上美國物理協會國際期刊《應用物理學快報（Applied Physics Letters）》。在次世代記憶元件，電阻式記憶體(RRAM)極有機會取代目前已面臨發展瓶頸的記憶體元件。他的研究是藉由改變崩潰限流的方式來控制電阻式記憶體之薄膜破壞程度，及利用在ZnO層中插入SiOx層之結構，使電阻式記憶體同時具有雙極性與互補式的電阻切換特性，如此將可避免記憶體操作時發生讀取誤判，解決目前電阻式記憶體在實際應用或導入量產時，所面臨的問題。

林志陽則發表「Effects of Varied Negative Stop Voltages on Current Self-compliance in Indium Tin Oxide Resistance Random Access Memory」於《電子元件期刊（IEEE Electron Device Lett.）》。一般傳統的電阻式記憶體在沒有限制元件限流下，會因為電流overshoot 而使元件崩潰。而他的研究發現ITO電極之電阻式記憶體元件具備自我限流的特性，有自我保護的功能，所以可以在不需要電晶體限流下，同時擁有非常良好的元件特性與可靠度。

林志陽大二暑假加入實驗室，接觸各種儀器資源，也開始嘗試寫期刊論文，發表國際期刊不再是遙不可及的夢想。林志陽提到，剛開始實驗並沒有量測出預期的數據，學長鼓勵說「異常才是我們需要解決的問題」，帶給他信心和持續的動力。投稿國際期刊除了考驗英文能力之外，國際期刊的審查與回稿過程也非常繁複。有師長們耐心的陪伴和教學，他也預設可能的問題，整理好數據，迅速的回覆，讓林志陽得以在三個月內完成期刊審查並被接受，現在決定逕讀博士班，未來將投入台灣高科技產業。

曾懿霆認為第一次撰寫期刊文章是一大挑戰，利用有限的四張圖片與科學英文解釋實驗，審稿期間也得回覆審稿人的各種專業問題。在實驗開始前，老師要求嚴格，「從製備元件與分析樣品都要學生親自操作」，通過儀器訓練與認證，才能進入製備元件樣本階段。曾懿霆說，老師常提醒不要認為異常數據是壞事，「說不定就是一種新發現」，他十分感謝老師提供許多實驗想法與實驗資源，也建議實驗方向，讓他有信心選擇逕讀中山物理系博班。

兩人的指導教授張鼎張非常肯定表示，大學畢業前就能登上國際期刊十分不容易，且兩人刊登的期刊都是非常好的期刊，《電子元件期刊》是電子元件的旗艦期刊，此外，兩位優秀的學生留在中山攻讀博士班更是開心。張鼎張教授提到目前台灣最需要的是「無產學落差的人才」，往往學生就學期間所學的內容與業界所需要的知識與技術落差太大，使得學生畢業後競爭力不足，不易找到適合的工作。

張鼎張教授實驗室目前與台積電、聯電、友達、群創等公司都有密切的產學合作，藉由產學合作計畫，將業界的資源帶進實驗室，再藉由實驗室的執行與研究能力，解決業界迫切的問題。業界待解決的問題，個中原因與物理機制可以撰寫有用的學術論文，博士班學生可作為畢業論文，而其中解決問題的方法更可寫成專利與Know-How轉移給相關合作公司，提升業界的競爭力。經由產學合作雙向的執行，學用無落差，博士生即成為業界所需的優秀研發人才。

張鼎張教授同時也提到他與美國史丹佛大學有合作計畫，未來兩位學生也會派至美國史丹佛大學進行交換研究，相信對於兩位學生國際視野的拓展以及學術研究會有極大助益。中山大學校長楊弘敦鼓勵學生出國期間盡量吸收不同養分，多與國外學者交流，研究路程可以越走越寬，回國後能青出於藍。中山大學提供許多出國研修機會，期許學生開拓國際視野，加強學術交流經驗。