第三代半導體材料「碳化矽」晶體，已被視為重要戰略物資，是發展電動車、6G通訊、航太及綠能等關鍵要素，國立中山大學晶體研究中心成功生長6吋導電型（n-type）4H碳化矽單晶，在長晶爐設備等相關環節，百分百MIT，奠定晶體生長速度快、穩定性高、成本低等優勢，未來透過技轉助攻台灣產業升級，強化市場競爭力。