國立中山大學物理系博士班一年級學生金福源讀小學二年級時遭逢家變，家庭經濟陷入困境，僅靠母親一人支撐，但他不向命運低頭，考上中山大物理系後表現優異，大四時以第一作者撰寫「藉由低介電常數材料層降低銦錫氧化物電阻式記憶體操作電壓的機制研究」論文，登上國際著名期刊「應用物理快遞」，並以優異的成績，獲准申請逕讀博士班。