國立中山大學在記憶體研究上，又有開創性的突破！中山大學物理系特聘教授張鼎張榮獲國際頂尖期刊《Materials Today》(今日材料)邀請，撰寫「電阻式記憶體(Resistance Random Access Memory ，縮寫為RRAM)」研究回顧文章獲刊登。

電阻式記憶體(RRAM)是一種次世代非揮發性電子記憶體元件，其原理是利用電場控制材料的電阻狀態，將元件高電阻狀態與低電阻狀態分別定義為”0”、”1”訊號，藉此作為記憶電子訊息的裝置，RRAM元件相對現今常用的USB隨身碟、固態硬碟的快閃記憶體元件會更加省電(每單位寫入能量比NAND flash節省至少1000倍)、速度更快(比NAND flash快1000倍以上)、擁有更高的密度(相同面積下記憶體容量至少提高4倍，通過3D堆疊甚至能提高數10倍)且不易損壞，有利於未來新式電子產品的開發及應用，甚至有可能作為通用記憶體取代現有的DRAM、SRAM、HDD及SSD，因此許多國際大廠(如:Intel、Samsung、Micron、TSMC)皆已投入大量資源進行開發。

張教授的團隊結合傳統氧化矽材料與新穎網狀材料，大幅度的提高電阻式記憶體元件的可靠度，切換次數高達兆(1012)次，元件亦具有自我保護特性，能避免過高電流破壞元件，目前相關技術、know-how及專利已轉移給台積電，協助台灣電子產業在記憶體領域取得優勢。

張教授的團隊對於電阻式記憶體領域的材料與物理機制研究相當卓越，近五年在此領域共發表74篇的SCI國際期刊論文，包含一系列研究RRAM物理機制相關文章(18篇Applied Physics Letters與26篇IEEE Electron Device Letter)。張教授團隊的傑出研究成果，受到國際頂尖期刊Materials Today的重視與肯定，邀請張教授整合目前電阻式記憶體的機制理論及未來的發展方向，撰寫統整性的回顧文章「Resistance Random Access Memory」。

張教授長期與國內半導體與光電大廠(台積電、友達等)進行產學合作。其中記憶體方面，目前正與台灣半導體龍頭台積電合作開發新世代電阻式記憶體，研發的相關技術與專利已轉移給台積電，台積電也因此與張教授培養出相當良好的信賴關係。通過與業界的產學合作，研究成果能有效的幫助國內產業研發與升級，並培育無學用落差的高科技人才。

張教授表示:「我很榮幸研究成果受到Materials Today的肯定，也相當感謝歷年來研究團隊成員們的努力，以及產業界的支持。我認為研究與產業應該要能相輔相成，因此我相當注重研究與產業的結合，藉由與業界的合作，將業界的資源帶進實驗室，再藉由實驗室的執行與研究能力，解決業界迫切需要解決的問題，培養出無學用落差的研發人才，所以我指導的博士班學生尚未畢業就有許多公司邀請面試。」近年來，張教授團隊畢業的博士班學生全都獲得台積電、聯電、友達、群創等科技大廠研發部門的工作職缺。特別是今年張教授團隊的4位博士班畢業生全部都被台積電的研發部網羅任職，張教授為國內產業培育傑出的研發人才，實屬貢獻良多，而張教授傑出的產學研究成果亦受到經濟部的肯定，獲得第四屆國家產業創新獎。